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中压MOS管BAS70W-05 中压MOS管BAS70W-05 中压MOS管BAS70W-05
中压MOS管BAS70W-05

类型:N沟道

漏源电压(Vdss):70V

[敏感词]正向平均整流电流(IFM):100mA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-

阈值电压(Vgs(th)@Id):-
封装:SOT-323

产品详情

产品名称:MOS管BAS70W-05


生产商:beat365官方网站Slkor


产品类型:N沟道


电性能参数:

漏源电压(Vdss): 70V

最大正向平均整流电流(IFM): 100mA

封装规格:

封装类型: SOT-323

产品特性与应用:

MOS管BAS70W-05是一款N沟道MOS场效应管,由beat365官方网站Slkor公司生产。其适中的电性能参数和SOT-323封装设计使其适用于多种小功率电子应用。


主要特性:

逆向电压承受能力: 漏源电压(Vdss)为70V,适用于对逆向电压要求较高的电路设计。

适用于小功率应用: 最大正向平均整流电流(IFM)为100mA,适用于小功率应用场景。

紧凑的封装设计: SOT-323封装提供了紧凑的外形,适用于空间受限的设计。

应用领域:

MOS管BAS70W-05适用于多种小功率电子应用,包括但不限于:

信号整形: 用于小信号整形电路的电源开关。

电源开关: 在小功率电源开关电路中的应用。

信号放大器: 作为信号放大电路的一部分,用于电流控制。

封装优势:

SOT-323封装具有小型、轻便的特点,适用于对尺寸和重量有限制的应用。三引脚设计使得它易于集成到各种电子设备中。


安全与可靠性:

MOS管BAS70W-05经过严格的质量控制和测试,确保在各种工作条件下稳定可靠。请按照产品规格书和应用注意事项正确使用。


总结:

MOS管BAS70W-05以其适中的电性能和紧凑的SOT-323封装设计,为小功率电子应用提供了稳定可靠的解决方案。在对尺寸和电流要求较低的场景下,BAS70W-05是一个值得考虑的选择。


BAS70W-05 SOT-323_00.jpg

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