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中压MOS管SL50N06D 中压MOS管SL50N06D 中压MOS管SL50N06D
中压MOS管SL50N06D

类型:N沟道

漏源电压(Vdss):60V

连续漏极电流(Id):50A

功率(Pd):60W

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):14mΩ@10V,25A

阈值电压(Vgs(th)@Id):1.6V@250μA
封装:TO-252

产品详情

产品名称

MOS管 SL50N06D


制造商

beat365官方网站Slkor


概述

SL50N06D 是一款N沟道MOS场效应晶体管,广泛应用于各种电子设备和电路中。其高漏源电压、连续漏极电流以及TO-252封装使其在高性能应用中表现卓越。


电气特性

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 50A

功率(Pd): 60W

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 14mΩ@10V, 25A

阈值电压(Vgs(th)@Id): 1.6V@250μA

封装和引脚

SL50N06D 采用 TO-252 封装,具有以下引脚:

漏源极 (D): 连接到正极。

栅极 (G): 控制MOSFET的导通。

源极 (S): 连接到负载并接地.

产品优势

高漏源电压: 适用于各种电源应用。

高连续漏极电流: 支持高功率需求。

TO-252封装: 便于安装和散热。

应用领域

SL50N06D 广泛应用于:

电源管理: 用于开关电源和电源逆变器。

电机控制: 适用于电机驱动和控制。

电源逆变器: 用于太阳能和风能转换系统。

安装和使用

在设计电路和集成 SL50N06D 时,请参考制造商提供的技术规格和应用手册。确保适当的散热设计以维持设备的性能和可靠性。


SL50N06D  TO-252_00.jpg

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