特斯拉已经宣布了减少SiC在其电动汽车中使用的计划，目标是减少75%。这已经引起了整个供应链的震荡，很多公司正在评估可能的场景和解决方案。然而，有人对特斯拉能否实现这个目标以及它真正的动机表示怀疑。

观察家指出，根据特斯拉的采购策略，它通常不会签署长期购买芯片的合同。同样，它也不想对SiC组件做出这样的承诺，这可能是特斯拉宣布减少SiC使用的真正原因。电动汽车现在已经成为SiC组件的[敏感词]市场，取代了光伏逆变器。作为电动汽车行业中最早使用SiC组件的公司，特斯拉有三种可能的方式来减少SiC的使用。首先，它可以缩小SiC模具的尺寸。碳化硅供应的瓶颈主要在于难以提高晶体增长的收益率。虽然制造和设计已经取得了重大进展，但可预见的未来SiC衬底的价格仍将保持在高水平。然而，从衬底生产更多的模具可能会降低SiC组件的成本。

特斯拉在使用SiC组件方面主要采购意法半导体的产品，而意法半导体在缩小SiC MOSFET尺寸方面不断努力。据行业消息人士透露，ST的第三代SiC MOSFET表面积仅为第二代的25%，相当于缩小了75%。有人猜测，特斯拉在宣布减少其SiC使用时，实际上是在指ST的技术进步。

此外，GaN-on-Si技术也可能成为主流。许多人预测，在未来的汽车充电器(OBC)领域，GaN-on-Si输出有相当大的进步，有望占据主导地位。在主流的800V汽车应用中，GaN产品的散热性能比传统的Si产品更好，开关频率也比SiC和Si产品更强。更为重要的是，使用GaN-on-Si技术可以更加实惠。使用GaN-on-Si技术的OBC和过渡逆变器可以减少SiC在汽车中的使用，其中包括使用较小的SiC组件或其他使用GaN和SiC组件的组合。在特斯拉宣布减少其SiC使用之后不久，英飞凌宣布了一项交易，计划斥资8.3亿美元收购GaN Systems, 该公司是一家专门从事GaN动力设备的公司，主要在汽车和数据中心领域使用。

在散热方面，相比于SiC，GaN可能存在一些局限，但对于不同价格和细分市场的车型而言，所需的组件支持也有所不同。对于价格敏感的消费者而言，选择GaN或许是更好的方案。

此外，特斯拉正在探索将SiC与IGBT技术相结合的可能性。虽然IGBT的散热性不如SiC，但其用于OBC和许多汽车过渡逆变器的例子仍然不在少数。使用SiC和IGBT技术的组合，能够让特斯拉实现高达75%的性能提升。

然而，还有一些怀疑论者担心，如此大规模的电路调整可能会带来意想不到的额外成本。因此，除了追求价格更加亲民之外，特斯拉此举的成功性备受关注。

目前，特斯拉旨在实现50%的年销售额增长。但随着市场竞争的加剧，特斯拉的市场份额正在逐步下降。尤其是在中国市场，BYD汽车制造商提供的强有力竞争，令特斯拉的地位岌岌可危。除了BYD，其他主要美国，欧洲，日本和韩国汽车制造商的强有力竞争也在全球市场内愈发激烈。不过，值得一提的是，许多汽车制造商已经和供应商签署了长期合同，以确保SiC技术的供应能够长期继续。

Wolfspeed作为一家SiC基板供应商，近日与多个汽车制造商达成了供应协议，包括大众、通用、Lucid Motors、捷豹路虎和梅赛德斯-奔驰。ST于2021年收购了Norstel AB，开始生产SiC基板，并在2021年与雷诺合作研发SiC技术。英飞凌于2022年与Stellantis签署了一项协议，并准备在2023年下半年开始发货。Onsemi为SiC晶片运营生产基地，并与大众和NIO建立了战略合作伙伴关系。Denso是丰田的一级供应商，也精通SiC技术。Sanan则在2022年披露，已获得一家新能源汽车制造商的订单，并将于2024年至2027年向客户运送SiC芯片。目前为止，特斯拉与SiC供应商尚未签署任何长期合同，导致汽车制造商及其供应商对特斯拉的[敏感词]举措感到担忧，因为此类长期合同一直是IDM开发SiC组件和其他第三代半导体的主要财政支持来源。

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