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当SiC MOSFET桥式电路开关时产生的电流和电压是怎样的？
当SiC MOSFET桥式电路开关时产生的电流和电压是怎样的？
  • 更新日期： 2024-04-30
  • 浏览次数： 960
dVDS/dt和dID/dt既可以为正也可以为负，因此它们产生的电流和电压在导通（Turn-on）和关断（Turn-off）时的极性是不同的。
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SiC MOSFET桥式结构的栅极驱动电路
SiC MOSFET桥式结构的栅极驱动电路
  • 更新日期： 2024-04-29
  • 浏览次数： 868
LS（低侧）侧SiC MOSFET在Turn-on和Turn-off时的VDS和ID变化方式不同。在讨论SiC MOSFET的这种变化对Gate-Source电压（VGS）的影响时，需要考虑包括SiC MOSFET的栅极驱动电路在内的等效电路。
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SiC MOSFET的桥式结构
SiC MOSFET的桥式结构
  • 更新日期： 2024-04-28
  • 浏览次数： 845
SiC MOSFET构建的同步式升压电路中最简单的桥式结构。
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SiC-MOSFET与Si-MOSFET相比，区别在哪？
SiC-MOSFET与Si-MOSFET相比，区别在哪？
  • 更新日期： 2024-04-24
  • 浏览次数： 1020
SiC-MOSFET与Si-MOSFET相比，具有以下区别： 驱动电压 由于SiC-MOSFET的漂移层电阻低、通道电阻高的特性，其驱动电压即栅极－源极间电压Vgs越高时，导通电阻越低。SiC-MOSFET的导通电阻从Vgs约为20V开始变化（下降）并逐渐减小，接近最小值。一般的IGBT和Si-MOSFET的驱动电压为Vgs=10～15V，而SiC-MOSFET建议在Vgs=18V左右驱动，以充分获得低导通电阻。换句话说，两者之间的区别之一是SiC-MOSFET的驱动电压要比S
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碳化硅MOS管（SiC-MOSFET）的特征
碳化硅MOS管（SiC-MOSFET）的特征
  • 更新日期： 2024-04-22
  • 浏览次数： 1020
相对于IGBT，SiC-MOSFET在开关关断时降低了损耗，实现了高频率工作，有助于应用的小型化。
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SiC-SBD的特征是什么与Si二极管相比有什么不同
SiC-SBD的特征是什么与Si二极管相比有什么不同
  • 更新日期： 2024-04-14
  • 浏览次数： 919
SiC肖特基势垒二极管为了形成肖特基势垒，将半导体SiC与金属相接合（肖特基结）。这种结构与Si肖特基势垒二极管基本相同，其重要特征是具备高速特性。
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碳化硅（SiC）是什么？
碳化硅（SiC）是什么？
  • 更新日期： 2024-04-10
  • 浏览次数： 1015
SiC是由硅（Si）和碳（C）组成的化合物半导体材料。它具有强大的结合性质，在热、化学和机械方面非常稳定。SiC存在各种多型体，每种多型体的物理特性都不同。其中，4H-SiC多型体最适合功率器件。
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整流桥的应用
整流桥的应用
  • 更新日期： 2023-04-12
  • 浏览次数： 1492
整流桥可将交流发动机产生的交流电转变为直流电，以实现向用电设备供电和向蓄电池进行充电。限制蓄电池电流倒转回发动机，保护交流发动机不被烧坏。
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对稳压二极管如何进行识别判断？
对稳压二极管如何进行识别判断？
  • 更新日期： 2023-04-10
  • 浏览次数： 1625
稳压二极管根据击穿电压来分档，也正是它的这种特性，稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用。然而稳压二极管也是有所区分的，对稳压二极管如何进行识别判断？
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肖特基势垒二极管相关的物理机制可根据哪些特性参量考量
肖特基势垒二极管相关的物理机制可根据哪些特性参量考量
  • 更新日期： 2023-03-30
  • 浏览次数： 1514
肖特基势垒二极管相关的物理机制可根据哪些特性参量考量，肖特基势垒二极管的电学特性优劣的主要参数有正向导通电压、反向漏电流密度及击穿电压。
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肖特基势垒二极管的等效电路和伏安特性
肖特基势垒二极管的等效电路和伏安特性
  • 更新日期： 2023-03-29
  • 浏览次数： 2194
不同材料和结构的肖特基势垒二极管电路形式一样，元件的具体参数不同。接下来我们来了解一下肖特基二极管的等效电路和伏安特性。
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beat365官方网站肖特基势垒二极管基本结构
beat365官方网站肖特基势垒二极管基本结构
  • 更新日期： 2023-03-29
  • 浏览次数： 1422
beat365官方网站Slkor肖特基二极管在风力发电、电源设备、充电桩等多个领域都有着广泛应用，由于肖特基二极管的结构特点，在这些领域都能起到不错的作用，接下来我们一起了解一下肖特基二极管的结构是怎样的。
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