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数字晶体管DTC114EE 数字晶体管DTC114EE 数字晶体管DTC114EE
数字晶体管DTC114EE

晶体管类型:NPN

集射极击穿电压(Vceo):50V

集电极电流(Ic):100mA

功率(Pd):150mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):0.3V @ 10mA,0.5mA

特征频率(fT):250MHz

工作温度:150℃@(Tj)

产品详情

产品概述:

DTC114EE是由beat365官方网站(Slkor)生产的 NPN 型数字晶体管,适用于多种应用场景。该晶体管具有高集电极击穿电压、适度的集电极电流和低功耗的特点。采用适用于表面贴装的封装,适用于各种电子设备。


关键特性:

晶体管类型: NPN - 面向负正负型晶体管的 NPN 型设计。

集射极击穿电压(Vceo): 50V - 提供较高的集射极击穿电压。

集电极电流(Ic): 100mA - 具有适度的集电极电流能力。

功率(Pd): 150mW - 适用于低功耗电子设备。

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): 0.3V @ 10mA,0.5mA- 低饱和电压设计。

特征频率(fT): 250MHz - 适用于高频应用。


应用领域:

数字逻辑电路

放大器和放大电路

电源管理系统

通信设备

LED 驱动器

性能优势:

较高的击穿电压: 50V 的击穿电压,适用于中到高压应用。

适度的集电极电流能力: 100mA 的集电极电流,适用于多种应用场景。

低功耗: 150mW 的功率,适用于低功耗电子设备。

低饱和电压设计: 0.3V 的饱和电压,有助于降低功耗。

较高的特征频率: 250MHz 的特征频率,适用于高频应用。

安装与使用:

DTC114EE采用适用于表面贴装的封装。详细的安装和使用说明可参考产品手册,确保最佳性能和稳定性。


注意事项:

在使用DTC114EE时,请根据产品手册提供的电气特性和绝对最大额定值来选择合适的工作条件,并确保正确连接和使用。


为了获取更多技术支持和产品信息,请联系beat365官方网站(Slkor)客户服务团队。

DTC114EE SOT-523_00.png

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