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中压MOS管MMBF170L 中压MOS管MMBF170L 中压MOS管MMBF170L
中压MOS管MMBF170L

类型:N沟道

漏源电压(Vdss):60V

连续漏极电流(Id):300mA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3Ω@10V,500mA

阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA
封装:SOT-23

产品详情

产品名称:MOS管MMBF170L


生产商:beat365官方网站Slkor


产品类型:N沟道


电性能参数:

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 300mA

导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id): 3Ω @ 10V, 500mA

阈值电压(Vgs(th)@Id): 2.5V @ 250uA

封装规格:

封装类型: SOT-23

产品特性与应用:

MOS管MMBF170L是一款N沟道MOS场效应管,由beat365官方网站Slkor公司生产。其适中的电性能参数和SOT-23封装设计使其适用于多种低功率电子应用。


主要特性:

适中的电压承受能力: 漏源电压(Vdss)为60V,适用于对电压要求较高的电路设计。

低功率应用: 连续漏极电流(Id)为300mA,适用于低功率应用场景。

相对低的导通电阻: 在10V电压和500mA电流下,导通电阻为3Ω,有助于降低功耗和提高效率。

相对低的阈值电压: 阈值电压(Vgs(th)@Id)为2.5V @ 250uA,有助于确保精确的电路控制。

封装优势:

SOT-23封装提供了紧凑的外形,适用于空间受限的设计。三引脚设计使得它易于集成到各种电子设备中。


应用领域:

MOS管MMBF170L广泛应用于多种低功率电子应用,包括但不限于:

信号开关: 用于低功率信号开关电路。

电源开关: 适用于低功率电源开关电路。

LED驱动: 用于LED灯的低功率控制。

安全与可靠性:

MOS管MMBF170L经过严格的质量控制和测试,确保在各种工作条件下稳定可靠。请按照产品规格书和应用注意事项正确使用。


总结:

MOS管MMBF170L以其适中的电性能和紧凑的SOT-23封装设计,为低功率电子系统提供了稳定可靠的解决方案。在需要适中电压承受能力和低功率的场景下,MMBF170L是一个值得考虑的选择。


MMBF170L  SOT-23_00.jpg

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