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栅极-源极电压产生的浪涌

更新日期： 2024-05-10
浏览次数： 1210

栅极-源极电压产生的浪涌是指在功率半导体器件（如MOSFET和IGBT）工作时，由于电压和电流的变化导致栅极和源极之间出现的意外、瞬时的电压波动现象。这种现象通常会在开关操作时出现，特别是在高速开关过程中更为显著。

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LS MOSFET低边开关关断时的栅极 – 源极间电压的动作

更新日期： 2024-05-09
浏览次数： 901

LS MOSFET关断时的电流动作的等效电路和波形示意图。与导通时的做法一样，为各事件进行了。与导通时相比，只是VDS和ID变化的顺序发生了改变，其他基本动作是一样的。与导通时的事件之间的对应关系：

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SiC MOSFET低边开关导通时的Gate-Source间电压的动作

更新日期： 2024-05-08
浏览次数： 590

当SiC MOSFET的LS导通时，首先ID会发生变化。在这个过程中，LS的ID沿增加方向流动，而HS的ID沿减少方向流动，受到等效电路图中表示的事件影响，产生了电动势。这个电动势会导致电流流向源极侧对CGS进行充电，在LS处将VGS向下推，在HS处将VGS向负极侧拉，产生负浪涌。

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当SiC MOSFET桥式电路开关时产生的电流和电压是怎样的？

更新日期： 2024-04-30
浏览次数： 1002

dVDS/dt和dID/dt既可以为正也可以为负，因此它们产生的电流和电压在导通（Turn-on）和关断（Turn-off）时的极性是不同的。

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SiC MOSFET桥式结构的栅极驱动电路

更新日期： 2024-04-29
浏览次数： 912

LS（低侧）侧SiC MOSFET在Turn-on和Turn-off时的VDS和ID变化方式不同。在讨论SiC MOSFET的这种变化对Gate-Source电压（VGS）的影响时，需要考虑包括SiC MOSFET的栅极驱动电路在内的等效电路。

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SiC MOSFET的桥式结构

更新日期： 2024-04-28
浏览次数： 873

SiC MOSFET构建的同步式升压电路中最简单的桥式结构。

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SiC-MOSFET与Si-MOSFET相比，区别在哪？

更新日期： 2024-04-24
浏览次数： 1047

SiC-MOSFET与Si-MOSFET相比，具有以下区别：驱动电压由于SiC-MOSFET的漂移层电阻低、通道电阻高的特性，其驱动电压即栅极－源极间电压Vgs越高时，导通电阻越低。SiC-MOSFET的导通电阻从Vgs约为20V开始变化（下降）并逐渐减小，接近最小值。一般的IGBT和Si-MOSFET的驱动电压为Vgs=10～15V，而SiC-MOSFET建议在Vgs=18V左右驱动，以充分获得低导通电阻。换句话说，两者之间的区别之一是SiC-MOSFET的驱动电压要比S

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