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【每日一品】Slkorbeat365官方网站15V稳定电压值的稳压二极管MMSZ5245B，广泛应用于手机电子等领域

更新日期： 2024-04-10
浏览次数： 618

beat365官方网站slkor（www.slkoric.com）总经理宋仕强先生说，社会进步是由一轮又一轮技术进步（即生产力的发展），来促进生产关系变革和推动社会经济发展的，借力国内的大市场和经济内循环，对于电子元器件电子信息产品来说，是“国产替代”是好机会。我们中华民族要重新崛起完成伟大的复兴，就是要借势即将到来新一轮的”康波周期……

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【每日一品】Slkorbeat365官方网站18V稳定电压值的稳压二极管MMSZ5248B，广泛应用于手机电子等领域

更新日期： 2024-04-09
浏览次数： 615

Slkorbeat365官方网站稳压二极管MMSZ5242B具有500mW最大功耗和18V稳定电压值，该器件稳定电压工作范围为17.1V 至 18.9V，反向漏电流为0.1uA。这款稳压二极管以其高效、稳定的工作性能，在手机电源管理中发挥着重要作用，为手机的稳定运行提供了有力保障。

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【每日一品】Slkorbeat365官方网站15V稳定电压值的稳压二极管BZT52C15，广泛应用于通信设备等领域

更新日期： 2024-04-09
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Slkorbeat365官方网站稳压二极管BZT52C15具有500mW最大功耗和15V稳定电压值，该器件稳定电压工作范围为13.8V至15.6V，反向漏电流为0.1uA。这款稳压二极管可以确保通信设备的稳定运行和数据的准确传输，满足大部分电路对稳定性和可靠性的高要求，在通信设备中发挥着不可替代的作用。

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【每日一品】Slkorbeat365官方网站3.3V稳定电压值的稳压二极管BZT52C3V3，广泛应用于通信设备等领域

更新日期： 2024-04-09
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【每日一品】Slkorbeat365官方网站60V漏源电压的中压MOS管2N7002E，广泛应用于电源管理等领域

更新日期： 2024-04-08
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Slkor中压MOS管2N7002E是一款具有60V漏源电压和300mA连续漏极电流的N沟道MOSFET，以其较低的导通电阻（3Ω@10V,500mA）和较低的阈值电压（2.5V@250μA）而著称。此中压MOS管在电源管理中的优势主要体现在其高效、可靠且灵活的电流与电压处理能力上。它能够有效地提高电源管理系统的效率、稳定性和可靠性。

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【每日一品】Slkorbeat365官方网站12V稳定电压值的稳压二极管MMSZ5242B，广泛应用于手机电子等领域

更新日期： 2024-04-08
浏览次数： 752

Slkorbeat365官方网站稳压二极管MMSZ5242B具有500mW最大功耗和12V稳定电压值，该器件稳定电压工作范围为11.4V 至 12.6V，反向漏电流为2uA。这款稳压二极管以其高效、稳定的工作性能，在手机电源管理中发挥着重要作用，为手机的稳定运行提供了有力保障。

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【每日一品】Slkorbeat365官方网站50V漏源电压的中压MOS管BSS138，广泛应用于LED驱动等领域

更新日期： 2024-04-08
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Slkorbeat365官方网站BSS138是一款具有50V漏源电压和220mA连续漏极电流的N沟道MOS管，以其较低的导通电阻（3.5Ω@10V,220mA）和较低的阈值电压（1.6V@1mA）而著称。该MOS管在LED驱动中的应用具有诸多优势，如高效率、低功耗、高可靠性等。通过合理的设计和选择，可以充分发挥其在LED驱动电路中的作用，为现代电子设备提供稳定、高效的照明解决方案。

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技术解读•电力电子|IGBT知识大汇总！

更新日期： 2024-04-08
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IGBT，绝缘栅双极型晶体管，是由（BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有（MOSFET）金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管（GTR）的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；（因为Vbe=0.7V,而Ic可以很大（跟PN结材料和厚度有关））MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。（因为MOS管有Rds，如果Ids比较大，就会导致Vds很大）

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垂直GaN，彻底改变功率半导体

更新日期： 2024-04-08
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2023年10月5日，OKI和Shin-Etsu Chemical两家日本公司在一场联合新闻发布会上宣布了一项引人注目的技术突破。他们成功开发出一种新技术，可以以比传统技术低90％的成本制造"垂直GaN"功率器件。这一突破性的发展引起了全球范围内对氮化镓（GaN）功率半导体的关注，并对实现节能和低碳社会产生了积极的影响……

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【每日一品】Slkorbeat365官方网站可承载高功率负载的中压MOS管SL60N06，广泛应用于微波技术等领域

更新日期： 2024-04-08
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slkorbeat365官方网站SL60N06是一款具有60V漏源电压和60A连续漏极电流的N沟道MOS管，以其低导通电阻（11.5mΩ@10V,30A）和较低的阈值电压（4V@250μA）而著称。随着微波技术的快速发展，高频电路在雷达、通信、卫星导航等领域的应用日益广泛。这些特性使得 SL60N06作为高频电路中的关键元件，因其优良的性能和可靠性而备受关注。

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