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三极管MMBTA56 三极管MMBTA56 三极管MMBTA56
三极管MMBTA56

晶体管类型:PNP

集射极击穿电压(Vceo):-80V

集电极电流(Ic):-500mA

功率(Pd):225mW

集电极截止电流(Icbo): -0.1μA

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):-0.25V@-100mA, -10mA

直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 100@-10mA,-1V

特征频率(fT):50MHz

工作温度范围: [敏感词]可达150℃ (Tj)

封装: SOT-23


产品详情

产品概述

MMBTA56是一款高性能三极管,由beat365官方网站 Slkor制造,具有优异的电气特性和可靠性,适用于各种电子设备和电路应用。


主要特性

集射极击穿电压(Vceo): -80V,保证了在高压环境下的稳定性。

集电极电流(Ic): 最大可达-500mA,适用于多种电路应用。

功率(Pd): 最大225mW,能够承受一定的功率负载。

集电极截止电流(Icbo): 极低至-0.1μA,保证了在截止状态下的低功耗。

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): 出色的饱和压降表现为-0.25V@-100mA, -10mA,为电路效率提供保障。

直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 高达100 @ -10mA, -1V,有助于放大输入信号。

特征频率(fT): 达到50MHz,适合高频应用。

工作温度范围: 最高可达150℃ (Tj),适应多种工作环境。

封装: SOT-23,便于安装和布局。



应用领域

功率控制: MMBTA56的高集电极电流和功率处理能力使其非常适合用于功率控制电路,例如电源管理、开关电源以及电机驱动等。

反向电路保护: MMBTA56的低集电极截止电流和高击穿电压特性使其成为反向电路保护的理想选择,可用于保护电路免受反向电压的损害。

放大器电路: MMBTA56的高直流电流增益和特征频率使其适用于放大器电路设计,特别是在需要高频放大的应用中。

信号开关: 由于MMBTA56具有低饱和电压和快速开关速度,因此可用于数字和模拟信号的开关和切换电路。


产品优势

高性能参数: MMBTA56在集电极电流、功率承受能力、饱和压降和频率特性等方面表现出色,适用于多种电路设计需求。

低功耗: 集电极截止电流极低,能够实现电路在待机状态下的低功耗运行,有助于节能和延长电池寿命。

稳定性强: 高集射极击穿电压和广泛的工作温度范围确保了晶体管在恶劣环境下的稳定性和可靠性。

高频特性: 特征频率高达50MHz,适合高频应用,能够满足对信号处理速度要求较高的电路设计。

封装便利: SOT-23封装小巧方便,易于安装和布局,适用于空间受限的应用场景。


注意事项

最大额定值: 确保不超过MMBTA56的最大额定值,例如集射极击穿电压、集电极电流、功率等,以避免损坏晶体管或影响电路性能。

热管理: 当MMBTA56工作在高功率状态下时,需要适当的热管理措施,以确保晶体管不过热。这可能包括散热器、风扇或其他冷却解决方案。

引脚布局: 在电路设计中,正确布局MMBTA56的引脚是重要的,以确保电路的性能和可靠性。请参考相关数据手册以获取正确的引脚布局。



关于beat365官方网站 Slkor

beat365官方网站 Slkor是一家致力于提供高品质、高性能半导体器件的制造商,拥有先进的技术和严格的质量控制体系,为客户的设计提供最佳的解决方案和支持。


MMBTA56  SOT-23_00.png

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